TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測(cè)試儀關(guān)鍵詞：電滯回線，疲勞，脈沖，漏電流，TDZT-04C鐵電測(cè)試儀通過全局總線進(jìn)行控制，可以有效提高儀器控制速度及安全水平。設(shè)備采用孔浮地技術(shù)，可有效地降低電荷泄露造成的驅(qū)動(dòng)能力弱及電壓泄露隱患。高壓部分與低壓部分通過浮地結(jié)構(gòu)隔離，并在低壓部分配置有高壓放電管及附屬設(shè)施，從而避免因...

TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測(cè)試儀

關(guān)鍵詞：電滯回線，疲勞，脈沖，漏電流，

TDZT-04C鐵電測(cè)試儀通過全局總線進(jìn)行控制，可以有效提高儀器控制速度及安全水平。設(shè)備采用孔浮地技術(shù)，可有效地降低電荷泄露造成的驅(qū)動(dòng)能力弱及電壓泄露隱患。高壓部分與低壓部分通過浮地結(jié)構(gòu)隔離，并在低壓部分配置有高壓放電管及附屬設(shè)施，從而避免因高壓泄露造成的損害。

本次研發(fā)采用DDS數(shù)字脈沖輸出技術(shù)，可以在技術(shù)指標(biāo)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)正弦波，三角波，鋸齒波及方波脈沖的輸出。經(jīng)過高精度運(yùn)放對(duì)相關(guān)信號(hào)進(jìn)行放大和輸出。通過自研的升壓裝置輸出相應(yīng)的測(cè)試脈沖。由于選用器件具有更好的高頻響應(yīng)特性，可以保證在整個(gè)測(cè)量范圍內(nèi)的線性輸出，保證高精度的測(cè)量結(jié)果。

一、產(chǎn)品介紹：

 TDZT-04C鐵電材料測(cè)試儀是適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測(cè)量，可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線、可精確地測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。

主要技術(shù)指標(biāo)：

1.輸出信號(hào)電壓： 0～±2000V（特殊電壓可以定制）高精度24位的模數(shù)轉(zhuǎn)換器；內(nèi)部同步時(shí)鐘的響應(yīng)速度10us

2、測(cè)量頻率：0.03Hz~3kHz；

電荷測(cè)量解析度范圍: 20fC~200uC

3. .記憶特性測(cè)試參數(shù)：

自帶內(nèi)部存儲(chǔ)曲線預(yù)設(shè)存儲(chǔ)器

多種脈沖系列測(cè)試鐵電體記憶特性

4. 可進(jìn)行漏電流-偏置電壓測(cè)試和漏電流-時(shí)間測(cè)試

5.電容范圍：1000nf～ 100nf, 精度: ≤1%。

6.電流范圍: 1nA～10A ,精度: ≤1%。

7、測(cè)試樣品：0-20mm  5個(gè)

8、高壓樣品池：2個(gè)，一個(gè)封閉式：8CM*6CM 一個(gè)開放式：8CM*5CM

9、三維移動(dòng)薄膜測(cè)試平臺(tái)：直立式探針一套，角度式探針一套

10、電流：1-10倍放大，信號(hào)：1-20倍。.數(shù)據(jù)結(jié)口：USB或BNC接口。

11.記憶特性測(cè)試參數(shù)：自帶內(nèi)部存儲(chǔ)曲線預(yù)設(shè)存儲(chǔ)器

多種脈沖系列測(cè)試鐵電體記憶特性

12.漏電流測(cè)試：可進(jìn)行漏電流-偏置電壓測(cè)試和漏電流-時(shí)間測(cè)試

13．疲勞測(cè)試:大疲勞測(cè)量頻率: 20kHz

14、輸入及輸出接口：高品質(zhì)耐壓輸出端子，端口具備超壓放電功能

具備RS485數(shù)據(jù)輸出接口，并預(yù)留網(wǎng)絡(luò)接口

15. 數(shù)據(jù)采集分析軟件： 能畫出鐵電薄膜的電滯回線，定量得到鐵電薄膜材料的飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場(chǎng)Ec、漏電流等參數(shù);可以進(jìn)行鐵電薄膜材料的鐵電疲勞性能、鐵電保持性能的測(cè)試，電阻測(cè)量，漏電流測(cè)量。

16.可以配合ZJ-3和ZJ-6型壓電測(cè)試儀操作系統(tǒng)

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