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長禾半導(dǎo)體IGBT電參數(shù)測試實(shí)驗(yàn)室

西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

會(huì)員指數(shù)：

企業(yè)認(rèn)證：

價(jià)格：電議

所在地：陜西西安市

型號(hào)：長禾

更新時(shí)間：2024-05-08

瀏覽次數(shù)：1177

公司地址：西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)新商務(wù)公寓1號(hào)樓10310室

17792574070 蒲經(jīng)理(先生) 經(jīng)理

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產(chǎn)品簡介

長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。

公司簡介

西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國家大功率器件測試服務(wù)中心。長禾實(shí)驗(yàn)室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！

展開

產(chǎn)品說明

檢測項(xiàng)目	覆蓋產(chǎn)品	檢測能力	參考標(biāo)準(zhǔn)
直流參數(shù)	MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；	檢測最大電壓：7500V 檢測最大電流：6000A	國標(biāo)，IEC
雪崩能量	MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件	檢測最大電壓：2500V 檢測最大電流：200A	美軍標(biāo)
柵極電阻	MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件	檢測阻抗：0.1Ω～50Ω	JEDEC
開關(guān)時(shí)間	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；	檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A	美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
開關(guān)時(shí)間	IGBT等模塊產(chǎn)品	檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A	國標(biāo)，IEC
反向恢復(fù)	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件	檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A	美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
反向恢復(fù)	IGBT等模塊產(chǎn)品	檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A	國標(biāo)，IEC
柵極電荷	MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件	檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A	美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等

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