| 提交詢價信息 |
| 發(fā)布緊急求購 |
價格：電議
所在地：陜西 西安市
型號：長禾
更新時間：2024-05-08
瀏覽次數(shù)：964
公司地址：西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)新商務公寓1號樓10310室
蒲經(jīng)理(先生) 經(jīng)理
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。
|
檢測項目 |
覆蓋產(chǎn)品 |
檢測能力 |
參考標準 |
|
直流參數(shù) |
MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品； |
檢測最大電壓：7500V 檢測最大電流：6000A |
國標，IEC |
|
雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：2500V 檢測最大電流：200A |
美軍標 |
|
柵極電阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 |
檢測阻抗：0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
|
開關時間 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件； |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A |
美軍標，國標，IEC等 |
|
開關時間 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A |
國標，IEC |
|
反向恢復 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A |
美軍標，國標，IEC等 |
|
反向恢復 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A |
國標，IEC |
|
柵極電荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：200A |
美軍標，國標，IEC等 |
|
柵極電荷 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：4000A |
國標，IEC |
|
短路耐量能力 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：1200V 檢測最大電流：1000A |
美軍標，國標，IEC等 |
|
短路耐量能力 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測最大電壓：2700V 檢測最大電流：10000A |
國標，IEC |
|
結電容 |
MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 |
檢測最大電壓：3000V |
IEC |
|
參數(shù)曲線掃描 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 |
檢測最大電壓：3000V 檢測最大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C |
美軍標，IEC等 |
|
熱阻性能 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管產(chǎn)品 |
最大功率：250W |
美軍標，JEDEC |
|
熱阻性能 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
最大功率：4000W |
美軍標，JEDEC |
|
ESD能力 |
MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 |
HBM最大電壓：8000V；MM最大電壓：800V |
美軍標，ANSI，JEDEC等 |
|
*正向浪涌能力 |
DIODE（Si/SiC）、整流橋 |
檢測最大電流：800A |
美軍標，國標 |
免責聲明：以上所展示的[長禾 國家大功率器件測試服務中心]信息由會員[西安長禾半導體技術有限公司]自行提供，內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。
