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價(jià)格:電議
所在地:北京
型號(hào):SDM-72
更新時(shí)間:2020-03-14
瀏覽次數(shù):1186
公司地址:北京市通州區(qū)興茂三街18號(hào)院
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王汝玄(先生) 經(jīng)理

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產(chǎn)品名稱:小功率可控硅測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào):DBC-022/032 |
小功率可控硅測(cè)試儀型號(hào):DBC-022/032
專(zhuān)門(mén)針對(duì)小功率可控硅研制開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用測(cè)試儀,可測(cè)試各種小型塑封管,型號(hào)包括 BTA16、MCR100-6、T410等。可測(cè)試參數(shù)有:伏安特性、觸發(fā)特性等,測(cè)試準(zhǔn)確,重復(fù)性好。
峰值電壓測(cè)試范圍: 0-2500V
峰值漏電流測(cè)試范圍: 0-2000uA,0-100mA
觸發(fā)電壓測(cè)試范圍: 0-5V
觸發(fā)電流測(cè)試范圍: 5-500uA,0-200mA
晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái) 型號(hào):DBC-101-ITSM
簡(jiǎn)介
DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo),用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力,主回路采用LC振蕩直接放電法,浪涌電流接近正弦半波??刂苹芈凡捎脝纹瑱C(jī)控制,所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的佳選設(shè)備。
技術(shù)指標(biāo):
1.ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2.ITSM測(cè)試范圍:500A—6000A,分辨率10A,精度±5%,數(shù)字表顯示。
3.VRM測(cè)試范圍:200V—2000V,分辨率10V,精度±5%,數(shù)字表顯示。
4.測(cè)試頻率:?jiǎn)未巍?nbsp;
5.設(shè)備配有專(zhuān)用示波器供觀看反向伏安特性波形。
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