由于儀器本身的限制,顯微鏡偶爾也會(huì)“騙人”。比如,電鏡就無(wú)法很好的觀察不能導(dǎo)電的材料,并且它的高能量還會(huì)損傷一些樣品。為了努力從納米材料和納米結(jié)構(gòu)的中獲取更多的真相,美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院(National Instituteof Standardsand Technology,NIST)的研究人員建立了一套采用鋰離子源的低能聚焦離子束顯微鏡。
盡管顯微鏡的分辨率不如掃描電鏡或氦離子顯微鏡(HIM),但它可以更清楚的觀察非導(dǎo)電材料,并能更清楚的觀察樣品表面的化學(xué)成分。通過(guò)觀察散射離子的能量,研究人不僅能夠分辨出相鄰材料的化學(xué)成分是不同的,并且能夠確認(rèn)不同材料的元素種類。
早在2011年,Jabez McClelland和他的同事采用激光冷卻技術(shù)研制出了一臺(tái)低能聚焦離子束顯微鏡。之后,他們一直努力改進(jìn)技術(shù)以調(diào)高離子束的亮度和準(zhǔn)直度,確保所有離子都能朝相同的方向運(yùn)動(dòng)以便的得到更好的成像結(jié)果。
新儀器通過(guò)激光束和磁光阱捕獲原子,將中性鋰原子氣體冷卻至600微開爾文。然后采用激光將原子離子化,并進(jìn)入電場(chǎng)加速,調(diào)整飛行方向,針對(duì)目標(biāo)物將離子聚焦成離子束。
NISTFIB可以生成能量為500eV至5000eV的鋰離子束(氦離子束的能量約為3000eV)。研究人員稱可以將離子束的能量降至更低。但是當(dāng)加速電場(chǎng)強(qiáng)度比較低時(shí),離子源的交互影響限制了聚焦離子束的大小。
在他們的論文中,研究人員展示了這臺(tái)顯微鏡如何解決納米壓印光刻技術(shù)中的一些常見問(wèn)題。McClelland說(shuō):“以前生產(chǎn)商進(jìn)行硅刻蝕,必須確??臻g沒(méi)有化學(xué)殘留。通常他們利用等離子體刻蝕的方法清除殘留物。但是他們得很仔細(xì),以防過(guò)度清除損壞基底或芯片。我們的聚焦離子束顯微鏡可以很好的觀察等離子體的工作情況,確保不損壞芯片。掃描電鏡無(wú)法做到這些,因?yàn)樗茈y觀察到很少的殘留物,而且高能電子束很可能造成充電或?qū)⒛0迦刍?,將情況弄得更糟糕。”
該研究團(tuán)隊(duì)未來(lái)的一個(gè)計(jì)劃是通過(guò)將鋰離子注入材料當(dāng)中,看他們是如何影響電池性能,從而解開鋰電池的工作原理。研究團(tuán)隊(duì)中的一些成員還成立了自己的公司,研發(fā)低能銫聚焦離子束,以實(shí)現(xiàn)單一納米量級(jí)的銑削和雕刻功能,如果成功將是納米材料制備的巨大飛躍。