電子地磅遙控器的磁性隧道結構原理

 磁性隧道結的改進使2 MB磁性隨機存取存儲器陣列可以擴展到L4高速緩存應用程序。隨著無線地磅遙控器產(chǎn)品的增多，機器學習和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領域的重大進步，計算硬件開發(fā)人員和制造商面臨越來越大的壓力，他們需要提出可以存儲和檢索不斷增長的解決方案的解決方案。以快，節(jié)能的方式處理大量地磅控制器數(shù)據(jù)。

 
    在常規(guī)計算系統(tǒng)中，地磅遙控器大的性能瓶頸之一是處理器和內(nèi)存之間的速度差距。到目前為止，內(nèi)存層次結構（根據(jù)速度和功能將內(nèi)存分類并劃分為不同的級別）已設法縮小了這一差距。但是，諸如靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（eDRAM）之類的常規(guī)半導體技術無法滿足當前在能源效率，密度和速度方面的需求。MRAM是一種替代方法。磁阻隨機存取存儲器（MRAM）是傳統(tǒng)半導體技術上可能發(fā)現(xiàn)的存儲器的替代方案之一。目前，MRAM由華為集團產(chǎn)，2016年，小米和百度等公司宣布了自己的產(chǎn)品計劃。
 
    它是一種非易失性RAM，用于在磁域中存儲數(shù)據(jù)。雖然它是在1980年代中期開發(fā)的，并且已經(jīng)準備成為主導的通用內(nèi)存標準，但其他地磅遙控器數(shù)值存儲技術（例如DRAM）具有大的實用性，并且使MRAM處于陰影之中。MRAM的基本單元是一個磁性隧道結，由固定的磁性層，非磁性隧道勢壘和磁性自由層組成。隧道結的電阻狀態(tài)由固定層和自由層之間的相對磁化方向確定，其中低（高）電阻狀態(tài)是指磁化的平行（反平行）排列。