NXTR-1A/1B薄膜方塊電阻測試儀_方阻儀簡介：
薄膜方塊電阻測試儀GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
薄膜方塊電阻測試儀主要用來測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層、導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。由電氣測量部份（簡稱：主機(jī)）、測試架、四探針頭及測量軟件組成。儀器采用四探針單電測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料的一種重要的工具。本儀器配置測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、輕便，運(yùn)輸安、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。
方阻儀使用范圍：
適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)多晶硅料的企業(yè)
薄膜方塊電阻測試儀適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè)
方阻儀特點(diǎn)：
可測方塊電阻：適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅
適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè)
測試量程大，電阻率測試儀
主機(jī)配置了“小游移四探針頭”了一起數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測試精度提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
特的設(shè)計(jì)能消除測量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差，測量的和寬的量程范圍
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測量，操作簡便
具有的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能
測量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動換向測量、求平均值、大值、小值、平均百分變化率等
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測量重復(fù)性提高
采用進(jìn)口元器件，留有大的安系數(shù)，提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩(wěn)定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，測試結(jié)果的準(zhǔn)確性
具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻設(shè)備的性能
方阻儀測量范圍：
10-5 ------1.9*105Ω?cm
10-4------1.9*104Ω?cm
可測硅棒尺寸： 大長度300mm；直徑20mm（按用戶要求改）
輸出電流：DC0.001-100mA  五檔連續(xù)可調(diào)   測量范圍：0-199.99mV
靈  敏  度： 10μA
輸入阻抗：1000ΩM
電阻測量誤差：檔均低于±0.05%
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用環(huán)境：溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%